概述
壽命試驗（MTBF）是研究產(chǎn)品壽命特征的方法，這種方法可在實驗室模擬各種使用條件來進行。壽命試驗是可靠性試驗中最重要最基本的項目之一，它是將產(chǎn)品放在特定的試驗條件下考察其失效（損壞）隨時間變化規(guī)律。通過壽命試驗，可以了解產(chǎn)品的壽命特征、失效規(guī)律、失效率、平均壽命以及在壽命試驗過程中可能出現(xiàn)的各種失效模式。如結合失效分析，可進一步弄清導致產(chǎn)品失效的主要失效機理，作為可靠性設計、可靠性預測、改進新產(chǎn)品質(zhì)量和確定合理的篩選、例行（批量保證）試驗條件等的依據(jù)。如果為了縮短試驗時間可在不改變失效機理的條件下用加大應力的方法進行試驗，這就是加速壽命試驗。通過壽命試驗可以對產(chǎn)品的可靠性水平進行評價，并通過質(zhì)量反饋來提高新產(chǎn)品可靠性水平。 在合適工作條件下器件使用壽命期內(nèi)的故障率很低。電子元器件的壽命，與工作溫度是有密切關系的。以電腦主板上常用的也常出故障的電解電容器為例，其壽命會受到溫度的影響。因此，應盡可能使電容器在較低的溫度之下工作，如果電容器的實際工作溫度超過了其規(guī)格范圍，不僅其壽命會縮短，而且電容器會受到嚴重的損毀（例如電解液泄漏）。壽命試驗（MTBF）方法分為定時截尾試驗，定數(shù)截尾試驗，估算方法為：平均壽命的點估計值、單側置信下限估計、雙側區(qū)間估計。
高溫工作壽命試驗 高溫壽命試驗為利用溫度及電壓加速的方法,藉短時間的實驗來評估IC產(chǎn)品的長時間操作壽命.一般常見的壽命實驗方法有BI(Burn-in) / EFR(Early Failure Rate) / HTOL(High Temperature Operating Life) / TDDB(Time dependent Dielectric Breakdown)，對于不同的產(chǎn)品類別也有相對應的測試方法及條件，如HTGB(High Temperature Gate Bias) / HTRG(High Temperature Reverse Bias) / BLT(Bias Life Test) / Intermittent Operation Life等。 低溫工作壽命試驗 低溫操作壽命試驗為利用低溫及電壓加速的方法，評估該組件于低溫環(huán)境操作下的壽命。 溫度工作壽命檢測能力 GJB899-2009