汽車被動(dòng)（無源）元器件AEC-Q200認(rèn)證檢測(cè)機(jī)構(gòu)

AEC-Q200產(chǎn)品測(cè)試條件制定依據(jù)

主要是依據(jù)MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的，不同零件的試驗(yàn)溫度除了不一樣之外，其施加電源(電壓、電流、負(fù)載)要求也會(huì)有所不同。高溫儲(chǔ)存屬于不施加偏壓與負(fù)載，但是在高溫工作壽命就需要。溫度循環(huán)與溫度沖擊，其試驗(yàn)?zāi)康呐c手法不一樣，在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率，溫度沖擊則不用，偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗(yàn)，而濕度抵抗就是濕冷凍試驗(yàn)。

AEC-Q200產(chǎn)品測(cè)試注意事項(xiàng)

1000h試驗(yàn)過程需在250h、500h進(jìn)行間隔量測(cè)

AEC-Q200檢測(cè)機(jī)構(gòu)

AEC-Q200各試驗(yàn)項(xiàng)目產(chǎn)品測(cè)試條件

1. AEC-Q200高溫儲(chǔ)存(MIL-STD-202-108) 測(cè)試條件

薄膜電容、網(wǎng)路低通濾波器、網(wǎng)路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h

電感、變壓器、電阻：125℃/1000h

變阻器：150℃/1000h

鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容：最大額定溫度/1000h

2. AEC-Q200高溫工作壽命(MIL-STD-202-108) 測(cè)試條件

網(wǎng)路低通濾波器、網(wǎng)路電阻：85℃/1000h

EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/1000h/施加額定IL

鉭電容、陶瓷電容：最大額定溫度/1000h/ (2/3)負(fù)載/額定電壓

鋁電解電容、電感、變壓器：105℃/1000h

薄膜電容：1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：125℃/1000h

電阻、熱敏電阻、可變電容：125℃/1000h/額定電壓

可變電阻：125℃/1000h/額定功率

變阻器：125℃/1000h/額定電壓85％+ma電流

陶瓷共鳴器：85℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

石英振蕩器：125℃/1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

3. AEC-Q200溫度循環(huán)(JEDEC22A-104) 測(cè)試條件

薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻： -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

鋁電解電容：-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

電感、變壓器、變阻器、石英振蕩器、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles

網(wǎng)路低通濾波器、網(wǎng)路電阻：-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

AEC-Q200產(chǎn)品測(cè)試條件

4. AEC-Q200溫度沖擊(MIL-STD-202-107) 測(cè)試條件

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles

5. AEC-Q200偏高濕度(MIL-STD-202-103)測(cè)試條件

鉭電容、陶瓷電容：85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3～1.5V

電感&變壓器：85℃/85%R.H./1000h/不通電

鋁電解電容：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓

EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓＆電流

電阻、熱敏電阻：85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%

自恢復(fù)保險(xiǎn)絲：85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%

可變電容、可變電阻：85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%

網(wǎng)路低通濾波器&網(wǎng)路電阻：85℃/85%R.H./1000h/電壓[網(wǎng)路電容(額定電壓)、網(wǎng)路電阻(10%額定功率)]

變阻器：85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85％+ma電流

石英振蕩器、陶瓷共鳴器：85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ，并聯(lián)逆變器，在每個(gè)晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

薄膜電容：40℃/93%R.H./1000h/額定電壓

6. AEC-Q200濕度抵抗(MIL-STD-202-106)測(cè)試條件

薄膜電容：(25℃←→65℃/90%R.H.*2循環(huán))/18h→-10℃/3h，每一循環(huán)共24h，step7a&7b不通電

AEC-Q200產(chǎn)品測(cè)試條件

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