AEC-Q200產品測試條件制定依據
主要是依據MIL-STD-202與JEDEC22A-104規(guī)范來制定的,不同零件的試驗溫度除了不一樣之外,其施加電源(電壓、電流、負載)要求也會有所不同。高溫儲存屬于不施加偏壓與負載,但是在高溫工作壽命就需要。溫度循環(huán)與溫度沖擊,其試驗目的與手法不一樣,在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率,溫度沖擊則不用,偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗,而濕度抵抗就是濕冷凍試驗。
AEC-Q200產品測試注意事項
1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測
AEC-Q200檢測機構
AEC-Q200各試驗項目產品測試條件
1. AEC-Q200高溫儲存(MIL-STD-202-108) 測試條件
薄膜電容、網路低通濾波器、網路電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h
電感、變壓器、電阻:125℃/1000h
變阻器:150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容:最大額定溫度/1000h
2. AEC-Q200高溫工作壽命(MIL-STD-202-108) 測試條件
網路低通濾波器、網路電阻:85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h/施加額定IL
鉭電容、陶瓷電容:最大額定溫度/1000h/ (2/3)負載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器:105℃/1000h
薄膜電容:1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/100%額定電壓)
自恢復保險絲:125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容:125℃/1000h/額定電壓
可變電阻:125℃/1000h/額定功率
變阻器:125℃/1000h/額定電壓85%+ma電流
陶瓷共鳴器:85℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英振蕩器:125℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
3. AEC-Q200溫度循環(huán)(JEDEC22A-104) 測試條件
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻: -55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容:-40℃(30min)←→105℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英振蕩器、自恢復保險絲:-40℃(30min)←→125℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網路低通濾波器、網路電阻:-55℃(30min)←→125℃(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
AEC-Q200產品測試條件
4. AEC-Q200溫度沖擊(MIL-STD-202-107) 測試條件
自恢復保險絲:-40℃(15min)←→125℃(15min)/300cycles
5. AEC-Q200偏高濕度(MIL-STD-202-103)測試條件
鉭電容、陶瓷電容:85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3~1.5V
電感&變壓器:85℃/85%R.H./1000h/不通電
鋁電解電容:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓&電流
電阻、熱敏電阻:85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%
自恢復保險絲:85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%
可變電容、可變電阻:85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%
網路低通濾波器&網路電阻:85℃/85%R.H./1000h/電壓[網路電容(額定電壓)、網路電阻(10%額定功率)]
變阻器:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85%+ma電流
石英振蕩器、陶瓷共鳴器:85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
薄膜電容:40℃/93%R.H./1000h/額定電壓
6. AEC-Q200濕度抵抗(MIL-STD-202-106)測試條件
薄膜電容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2循環(huán))/18h→-10℃/3h,每一循環(huán)共24h,step7a&7b不通電
AEC-Q200產品測試條件
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