失效分析主要步驟和內(nèi)容:
1,芯片開(kāi)封也成開(kāi)帽,開(kāi)蓋decap去除IC封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損,保持 ** ,bond pads,bond wires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。
2, SEM 掃描電鏡/EDX成分分析:包括材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察、元素組成常規(guī)微區(qū)分析、精確測(cè)量元器件尺寸等等。
3, 探針測(cè)試:以微探針快捷方便地獲取IC內(nèi)部電信號(hào)。鐳射切割:以微激光束切斷線路或芯片上層特定區(qū)域。
4,EMMI偵測(cè):EMMI微光顯微鏡是一種效率極高的失效分錯(cuò)析工具,提供高靈敏度非破壞性的故障定位方式,可偵測(cè)和定位非常微弱的發(fā)光(可見(jiàn)光及近紅外光),由此捕捉各種元件缺陷或異常所產(chǎn)生的漏電流可見(jiàn)光。
5,OBIRCH應(yīng)用(鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測(cè)試):OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析,線路漏電路徑分析。利用OBIRCH方法,可以有效地對(duì)電路中缺陷定位,如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等,也能有效的檢測(cè)短路或漏電,是發(fā)光顯微技術(shù)的有力補(bǔ)充。
6,X-Ray 無(wú)損偵測(cè):檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開(kāi)路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。
7、SAM (SAT)超聲波探傷可對(duì)IC 封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行非破壞性檢測(cè), 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如:晶元面脫層, 錫球、晶元或填膠中的裂縫, 封裝材料內(nèi)部的氣孔,各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞等。
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